Trong bối cảnh cuộc đua hiệu năng chip di động đang ngày càng khốc liệt, những thông tin rò rỉ mới nhất về vi xử lý Snapdragon 8 Elite Gen 5 của Qualcomm đã khiến giới công nghệ không khỏi xôn xao. Mặc dù còn hơn một tháng nữa con chip này mới chính thức được trình làng, những kết quả benchmark sơ bộ đã hé lộ một sức mạnh đột phá, hứa hẹn thay đổi cuộc chơi trên thị trường smartphone cao cấp.
Theo các nguồn tin đáng tin cậy, đặc biệt từ các leaker nổi tiếng trên Weibo, Snapdragon 8 Elite Gen 5 đã đạt được cột mốc chưa từng có trên ứng dụng chấm điểm hiệu năng AnTuTu. Thử nghiệm trên phiên bản AnTuTu v11, con chip này đã vượt qua ngưỡng 4 triệu điểm, bỏ xa các đối thủ và thiết lập một kỷ lục mới. Con số này không chỉ thể hiện sức mạnh xử lý ấn tượng mà còn cho thấy hiệu suất tăng trưởng vượt bậc so với thế hệ tiền nhiệm.
Điểm nhấn đáng chú ý nhất là phiên bản dành riêng cho dòng sản phẩm Galaxy S26 của Samsung. Trong khi phiên bản tiêu chuẩn của Snapdragon 8 Elite Gen 5 được cho là có xung nhịp lên tới 4.61GHz, thì biến thể tùy chỉnh này được ép xung lên mức 4.74GHz, tối ưu hóa để mang lại hiệu suất cao nhất cho flagship của nhà Samsung.
Những cải tiến về hiệu năng này đến từ việc Qualcomm sử dụng quy trình sản xuất 3nm tiên tiến của TSMC và kiến trúc CPU Oryon thế hệ thứ ba. Bên cạnh đó, chip đồ họa Adreno 840 cũng được nâng cấp, đảm bảo khả năng xử lý mượt mà mọi tác vụ, từ chơi game nặng đến các ứng dụng AI tiên tiến.
Sự kiện ra mắt Snapdragon 8 Elite Gen 5 dự kiến sẽ diễn ra tại Hội nghị thượng đỉnh Snapdragon vào ngày 23 tháng 9 tới đây. Động thái này cho thấy Qualcomm đang rất tự tin vào sản phẩm mới và sẵn sàng đối đầu trực diện với các đối thủ như MediaTek và Apple. Các mẫu điện thoại đầu tiên sử dụng chip này được kỳ vọng sẽ đến từ các hãng như Xiaomi, Honor, OnePlus và tất nhiên, không thể thiếu dòng Galaxy S26 của Samsung.
Nguồn: Gizmochina
